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PRODUCT普通紅外型電路
| Part No. | VDD | Inbuilt RC | ROM | RAM | I/O | Keys | Package | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS3068 | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 1K | 40 | 6 | 25(T-KEY) | SOP8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產品簡介：HS3068是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求，其中的保護位可用來防止程序被讀出，由于有ROM，HS3068提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境?？捎米灾凭幾g器進行轉換。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V ◆ 工作溫度范圍：0℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式時為1uA ◆ 1K*14位片內ROM ◆ 一個安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 32*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 2組雙向標準I/O端口 ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期，99.9%的指令為單周期指令 ◆ T-MODE型模式時，最多可形成25個按鍵 ◆ M-MODE型時，最多可形成16個按鍵 ◆ 可以作為通用MCU使用 ◆ 不可間接尋址 ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒 ◆ 驅動可選（240mA，280mA，340mA） ◆ 省電解電容可選。 了解更多 |
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| HS9068 | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 1K | 40 | 6 | 25(T-KEY) | SOP8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產品簡介：HS9068是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求，其中的保護位可用來防止程序被讀出，由于有ROM，HS9068提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境?？捎米灾凭幾g器進行轉換。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V ◆ 工作溫度范圍：0℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式時為1uA ◆ 1K*14位片內ROM ◆ 一個安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 32*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 2組雙向標準I/O端口 ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期，99.9%的指令為單周期指令 ◆ T-MODE型模式時，最多可形成25個按鍵 ◆ M-MODE型時，最多可形成16個按鍵 ◆ 可以作為通用MCU使用 ◆ 不可間接尋址 ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒 ◆ 驅動可選（240mA，280mA，340mA） ◆ 省電解電容可選。 了解更多 |
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| HS9060P | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 1K | 40 | 8 | 42(T-KEY) | ESSOP10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產品簡介：該芯片采用 OTP 工藝制造，高性能、低功耗紅外發射電路，T-KEY 三角矩陣鍵盤，最多可組成 52 個按鍵。除了能實現 50 多種常用基本碼型外，還可實現一些特殊碼型。配合 HS9060P 開發軟件及燒寫器，可極大提高用戶產品開發質量，縮短開發周期。 CPU特性：◆ 低靜態電流：<2uA ◆ 工作電壓范圍寬：2.0V~3.6V ◆ 外部線路元器件少 ◆ 支持內置或外接三極管驅動發射頭 ◆ 內置振蕩電路，誤差<=±1.5% ◆ 軟件編程容易，開發效率高 ◆ 發碼驅動 500mA（3V0.2VDD） ◆ ESSSOP10 封裝 了解更多 |
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| HS9064P | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 1K | 40 | 12 | 88(T-KEY) | SOP14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產品簡介：HS9064P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求，其中的保護位可用來防止程序被讀出，由于有OTP-ROM，HS9064P提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境?？捎米灾凭幾g器進行轉換。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V ◆ 工作溫度范圍：0℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式時為1uA ◆ 1K*14位片內ROM ◆ 一個安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 40*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 2組雙向標準I/O端口 ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期，99.9%的指令為單周期指令 ◆ T-MODE型模式時，最多可形成88(11*10/2+11+11+11)個按鍵 ◆ M-MODE型時，最多可形成36(6*5+6)個按鍵 ◆ 可以作為通用MCU使用 ◆ 不可間接尋址 ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒 ◆ 驅動可選（300mA~500mA） ◆ 省電解電容可選。 了解更多 |
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| HS3000P | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 0.5K | 40 | 14 | 91(T-KEY) | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產品簡介：HS3000P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求，其中的保護位可用來防止程序被讀出，由于有OTP-ROM，HS3000P提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境?？捎米灾凭幾g器進行轉換。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V ◆ 工作溫度范圍：0℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式時為1uA ◆ 1K*14位片內ROM ◆ 一個安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 40*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 2組雙向標準I/O端口 ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期，99.9%的指令為單周期指令 ◆ T-MODE型模式時，最多可形成91個按鍵 ◆ M-MODE型時，最多可形成49(6*7+7)個按鍵 ◆ 可以作為通用MCU使用 ◆ 不可間接尋址 ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒 ◆ 驅動可選（300mA~500mA） ◆ 省電解電容可選。 了解更多 |
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| HS9000P | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 0.5K | 40 | 14 | 91(T-KEY) | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產品簡介：HS9000P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求，其中的保護位可用來防止程序被讀出，由于有OTP-ROM，HS9000P提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境?？捎米灾凭幾g器進行轉換。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V ◆ 工作溫度范圍：0℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式時為1uA ◆ 1K*14位片內ROM ◆ 一個安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 40*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 2組雙向標準I/O端口 ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期，99.9%的指令為單周期指令 ◆ T-MODE型模式時，最多可形成91個按鍵 ◆ M-MODE型時，最多可形成49(6*7+7)個按鍵 ◆ 可以作為通用MCU使用 ◆ 不可間接尋址 ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒 ◆ 驅動可選（300mA~500mA） ◆ 省電解電容可選。 了解更多 |
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| HS2303-P | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 1K | 40 | 14 | 91(T-KEY) | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產品簡介：HS2303-P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求，其中的保護位可用來防止程序被讀出，由于有OTP-ROM，HS2303-P提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境?？捎米灾凭幾g器進行轉換。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V ◆ 工作溫度范圍：0℃~70℃ ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式時為1uA ◆ 1K*14位片內ROM ◆ 一個安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 40*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 2組雙向標準I/O端口 ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期，99.9%的指令為單周期指令 ◆ T-MODE型模式時，最多可形成52 (8*7/2+8+8+8)個按鍵 ◆ M-MODE型時，最多可形成20(4*4+4)個按鍵 ◆ 可以作為通用MCU使用 ◆ 不可間接尋址 ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒 ◆ 驅動可選（240mA，280mA，340mA） ◆ 省電解電容可選。 了解更多 |
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| HS2313-P | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 2K | 40 | 14 | 91(T-KEY) | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產品簡介：HS2313-P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求，其中的保護位可用來防止程序被讀出，由于有OTP-ROM，HS2303-P提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境?？捎米灾凭幾g器進行轉換。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V ◆ 工作溫度范圍：0℃~70℃ ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式時為1uA ◆ 1K*14位片內ROM ◆ 一個安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 40*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 2組雙向標準I/O端口 ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期，99.9%的指令為單周期指令 ◆ T-MODE型模式時，最多可形成52 (8*7/2+8+8+8)個按鍵 ◆ M-MODE型時，最多可形成20(4*4+4)個按鍵 ◆ 可以作為通用MCU使用 ◆ 不可間接尋址 ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒 ◆ 驅動可選（240mA，280mA，340mA） ◆ 省電解電容可選。 了解更多 |
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| HS9100-T | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 1K | 40 | 14 | 91(T-KEY) | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產品簡介：HS9100-T是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求，其中的保護位可用來防止程序被讀出，由于有OTP-ROM，HS9100-T提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境?？捎米灾凭幾g器進行轉換。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V ◆ 工作溫度范圍：0℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式時為1uA ◆ 1K*14位片內ROM ◆ 一個安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 40*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 2組雙向標準I/O端口 ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期，99.9%的指令為單周期指令 ◆ T-MODE型模式時，最多可形成91個按鍵 ◆ M-MODE型時，最多可形成49(6*7+7)個按鍵 ◆ 可以作為通用MCU使用 ◆ 不可間接尋址 ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒 ◆ 驅動可選（300mA~500mA） ◆ 省電解電容可選。 了解更多 |
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| HS9110-T | 2.0~3.6V | 4MHz±1.0% | 2K | 32 | 14 | 91(T-KEY) | SOP16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產品簡介：HS9110-T是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個2K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求，其中的保護位可用來防止程序被讀出，由于有OTP-ROM，HS9110-T提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境?？捎米灾凭幾g器進行轉換。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V ◆ 工作溫度范圍：0℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍：內置RC 4MHz±2% ◆ 低功耗：在休眠模式時為1uA ◆ 2K*14位片內ROM ◆ 一個安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 40*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 2組雙向標準I/O端口 ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期，99.9%的指令為單周期指令 ◆ T-MODE型模式時，最多可形成91個按鍵 ◆ M-MODE型時，最多可形成49(6*7+7)個按鍵 ◆ 可以作為通用MCU使用 ◆ 不可間接尋址 ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒 ◆ 驅動可選（300mA~500mA） ◆ 省電解電容可選。 了解更多 |
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