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PRODUCT多功能型電路
| Part No. | VDD | Inbuilt RC | ROM | RAM | I/O | EEPROM | Key type | Package | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS23P36 | 2.2~3.6V | 8MHz±1.0% | 8K*16 | 512*8 | 14 | -- | T/M-KEY | SOP16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產品簡介：HS23P36是采用高速低功耗CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個16K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)，內置了紅外學習電路。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.2V~3.6V （8M 2分頻）。 ◆ 工作溫度范圍：-20℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍： 內置RC 8MHz±2% 系統時鐘源可配置選擇：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16 ◆ 16K*16-bit片內ROM ◆ 可直接、間接尋址 ◆ 1個16位定時器TC0，做PWM、Buzzer時8位有效。 ◆ 1個16位基本定時器T1 ◆ 內置上電復位時間PWRT ◆ 內置WDT看門狗 ◆ 內置可校準IRC振蕩器(8MHZ) ◆ 一個安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 512*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 3組雙向I/O端口 ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 6種可用中斷：TC0、T0、外中斷、P0_P1端口變化中斷、P54端口變化中斷、P50端口變化中斷 ◆ 內置紅外發射放大驅動電路 ◆ 內部上電復位電路(POR) ◆ 內置低電壓檢測（LVD），用于欠壓復位（BOR） 了解更多 |
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| HS23P46 | 2.2~3.6V | 8MHz±1.0% | 16K*16 | 512*8 | 14 | -- | T/M-KEY | SOP16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產品簡介：HS23P46 是采用高速低功耗 CMOS 工藝制造的 8 位單片機，它內部包含一個 16K *16bits 的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.0V~3.6V(8M ,2 分頻) ◆ 低功耗：1.5uA ◆ 工作溫度范圍：-20℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍： ◆ 內置 RC 8MHz±1.5% ◆ 系統時鐘源可配置選擇：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16 ◆ 16K *16bits 片內 ROM ◆ 1 個 16 位定時器，做 PWM、Buzzer 及外部計數時 8 位有效。 ◆ TC0：外部事件計數器/PWM0/ Buzzer 輸出。 ◆ 1 個 16 位基本定時器 ◆ 3 組標準雙向 I/O 端口 ◆ 8 級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 2 個內部中斷：TC0、T0 ◆ 4 個外部中斷：INT0，P0_P1，P5.0，P5.4 ◆ 內部上電復位電路（POR） ◆ 內置低電壓檢測（LVD），用于欠壓復位（BOR） 了解更多 |
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| HS23P56 | 2.2~3.6V | 8MHz±1.0% | 32K*16 | 512*8 | 14 | -- | T/M-KEY | SOP16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產品簡介：HS23P56是采用高速低功耗CMOS工藝制造的8位單片機，它內部包含一個32K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)，內置了紅外學習電路。 CPU特性：◆ 寬工作電壓范圍：2.2V~3.6V （8M 2分頻）。 ◆ 工作溫度范圍：-20℃~80℃ ◆ 工作頻率范圍： 內置RC 8MHz±2% 系統時鐘源可配置選擇：Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16、Fosc/32 ◆ 32K*16bits片內ROM ◆ 1024*8bits片內寄存器組（SRAM，一般寄存器） ◆ 可直接、間接尋址 ◆ 1個16位定時器TC0，做PWM、Buzzer時8位有效。 ◆ 1個16位基本定時器T1。 ◆ 1個16位定時器TC3，可組成4路8/16位PWM。 ◆ 一個UART通訊口 ◆ 一個I2C通訊口 ◆ 內置上電復位時間PWRT ◆ 內置WDT看門狗 ◆ 內置可校準IRC振蕩器（默認8MHZ），可選擇16MHZ。 ◆ 一個安全位（代碼寄存器中）保護程序不被讀出 ◆ 3組雙向I/O端口 ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧 ◆ 節能模式（SLEEP模式） ◆ 10種可用中斷：TC0、T1、TC3、外中斷、P0_P1端口變化中斷、P54端口變化中斷、P50端口變化中斷、I2C中斷、UART收、發中斷 ◆ 內置紅外發射放大驅動電路 ◆ 內部上電復位電路(POR) ◆ 內置低電壓檢測（LVD），用于欠壓復位（BOR） 了解更多 |
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| HS26F36 | 2.0~5.5V | 12MHz±1.0% | 8K*16 | 384*8 | 14 | 256*8 | T/M-KEY | SOP16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
產品簡介：HS26F36是一款采用低耗高速CMOS工藝制造的全集成AD型觸控芯片，它包含一個8K Word ROM，256 Byte的EEPROM，內部集成了一個12位ADC，觸摸按鍵模塊，且有著豐富的通訊接口。IO端口既可以配置為普通的IO口，同時可通過軟件配置為AD采樣口以及觸控按鍵腳，在不增加更多IO口的基礎上實現更加豐富的功能。 CPU特性：■工作電壓2.0~5.5v(12M主頻) ■ 工作溫度范圍：-40℃~85℃ ■ 8K Word ROM ■ 256 Byte EEPROM ■ 384 Byte RAM ■ 最大14個IO口 ■ 最大11通道觸摸按鍵 ■ 最大8通道的12位AD ■ 所有端口驅動可選 ■ 6路12位PWM，可配置為2組帶死區控制的PWM ■ 集成端口比較器，可比較端口電壓 ■ 集成一個增益可調運放，可放大端口信號 ■ 可配置內部高速，內部低速，外部高速，外部低速的系統時鐘, ■ 內部高速最大24Mhz ■ 內置WDT定時器 ■ 包含端口變化喚醒及定時器溢出喚醒 ■ 包括高速，低速，綠色，休眠四種模式 ■ 包含上電復位，掉電復位（可選） 了解更多 |
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